Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Машин, А. И.

Статьи. Автор - Машин, А. И.

• Получение стекол системы As-S методом плазмохимического осаждения из газовой фазы
  Воротынцев, А. В., Мочалов, Л. А., Лобанов, А. С., Нежданов, А. В., Воротынцев, В. М., Машин, А. И.
  
  Получение стекол системы As-S методом плазмохимического осаждения из газовой фазы, [Текст] ил. Журнал прикладной химии, 2016, Т. 89, Вып. 2. - С. 168-173
• Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2]
  Грачев, Д. А., Ершов, А. В., Карабанова, И. А., Пирогов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Павлов, Д. А.
  
  Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2], [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 5. - С. 965-971 .- Грачев_влияние
• Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
  Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
  
  Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .- Деточенко_эпитаксиально
• Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
  Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
  
  Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 Новиков_формирование
• Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiO[x]/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
  Турищев, С. Ю., Терехов, В. А., Коюда, Д. А., Ершов, А. В., Машин, А. И., Паринова, Е. В., Нестеров, Д. Н., Грачев, Д. А., Карабанова, И. А., Домашевская, Э. П.
  
  // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 363-366 .- Турищев_формирование
• Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
  Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Матвеев, С. А., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Филатов, Д. О., Степихова, М. В., Красильник, З. Ф.
  
  Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 .- Шенгуров_условия
• Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
  Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
  
  цв. ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .- Сресели_квантовые