Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства - Статьи - Базы данных - БГТУ

Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства

Авторы: Денисов, С. А. Дроздов, М. Н. Машин, А. И. Буланов, А. Д. Нежданов, А. В. Ежевский, А. А. Степихова, М. В. Чалков, В. Ю. Шенгуров, Д. В. Шенгуров, В. Г.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства Электронный ресурс
Аннотация	Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si[1-x]Ge[x] методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния {30}Si или {28}Si и (или) газового источника моногермана {74}GeH[4]. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев {30}Si, {28}Si, {74}Ge и {30}Si[1-x] {74}Ge[x]. Слои {30}Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции.
Ключевые слова	моноизотопные слои
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 3. - С. 350-353
Имя макрообъекта	Деточенко_эпитаксиально