| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669910694 |
| Дата корректировки | 14:43:47 24 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Деточенко, А. П. | |
|
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства Электронный ресурс |
|
| Epitaxial layers of the monoisotopic Si, Ge and Si[1-x]Ge[x] solid solution: growth and some properties | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 3 назв. |
| Аннотация | Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si[1-x]Ge[x] методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния {30}Si или {28}Si и (или) газового источника моногермана {74}GeH[4]. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев {30}Si, {28}Si, {74}Ge и {30}Si[1-x] {74}Ge[x]. Слои {30}Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции. |
| Ключевые слова | моноизотопные слои |
|
молекулярно-лучевая эпитаксия моноизотопный кремний моногерман эпитаксиальные слои |
|
|
Денисов, С. А. Дроздов, М. Н. Машин, А. И. Гавва, В. А. Буланов, А. Д. Нежданов, А. В. Ежевский, А. А. Степихова, М. В. Чалков, В. Ю. Трушин, В. Н. Шенгуров, Д. В. Шенгуров, В. Г. Abrosimov, N. V. Riemann, H. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 |
| Имя макрообъекта | Деточенко_эпитаксиально |
| Тип документа | b |
