-
Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах {28}Si[1-x] {72}Ge[x]
Ежевский, А. А., Сенников, П. Г., Гусейнов, Д. В., Сухоруков, А. В., Калинина, Е. А., Абросимов, Н. В.
Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах {28}Si[1-x] {72}Ge[x], [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1134-1138
Ежевский_поведение
-
Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах {28}Si[1-x] {72}Ge[x]
Ежевский, А. А., Сенников, П. Г., Гусейнов, Д. В., Сухоруков, А. В., Калинина, Е. А., Абросимов, Н. В.
Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах {28}Si[1-x] {72}Ge[x]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 933-937
Ежевский_поведение
-
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .-
Деточенко_эпитаксиально
