| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах {28}Si[1-x] {72}Ge[x] Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучено поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах Si[1-x]Ge[x] (x = 0.0039-0.05), обогащенных бесспиновыми изотопами {28}Si (99.998%) и {72}Ge (99.984%) методом электронного парамагнитного резонанса. Исследовалась тонкая структура спектра донорного электрона, локализованного на литии (T = 3.5-30K), в предположении, что при обогащении бесспиновыми изотопами ({28}Si{iso}Ge, iso=70, 72, 74, 76) сплавов Si[1-x]Ge[x] можно достичь, как и в кремнии, более высокого разрешения в спектрах электронного парамагнитного резонанса. Исследования показали, что, несмотря на нерегулярное расположение атомов германия в решетке твердого раствора {28}Si[1-x] {72}Ge[x], создаваемые ими локальные искажения и уширение линий электронного парамагнитного резонанса донорных электронов за счет случайных деформаций в изотопно-чистых монокристаллах {28}Si[1-x] {72}Ge[x] при x = 0.39, 1.2, 2.9 ат%, наблюдались более узкие линии спектров электронного парамагнитного резонанса лития по сравнению с аналогичными кристаллами с природной композицией изотопов кремния и германия, что позволило, как и в кремнии, впервые исследовать угловые зависимости положений линий в спектрах электронного парамагнитного резонанса лития в Si[1-x]Ge[x] при различных x. |
| Ключевые слова | мелкие доноры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1134-1138 |
|
| Имя макрообъекта | Ежевский_поведение |
