| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах {28}Si[1-x] {72}Ge[x] | |
| Аннотация | Изучалось поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах Si[1-x]Ge[x] , (x = 0.0039-0.05), обогащенных бесспиновыми изотопами {28}Si (99.998%) и {72}Ge (99.984%) методом электронного спинового резонанса. Исследовалась сверхтонкая структура спектра донорного электрона, дающая информацию о плотности волновой функции донора в основном состоянии на ядре {31}P (I = 1/2), а также температурные зависимости скорости спиновой релаксации (T = 3.5-30K), позволившие сделать анализ механизма релаксации продольной компоненты T[1] и величину долинно-орбитального расщепления состояния донора. Интерес к данным исследованиям вызван еще тем, что сплав Si[1-x]Ge[x] , обогащенный бесспиновыми изотопами ({28}Si{iso}Ge, iso = 70, 72, 74, 76), является мало изученным материалом по сравнению с {28}Si. Нерегулярное расположение атомов германия в решетке твердого раствора SiGe и создаваемые ими локальные искажения могут нивелировать изотопические эффекты при изотопном обогащении. Однако, несмотря на уширение линий электронного спинового резонанса донорных электронов за счет случайных деформаций, создаваемых растворенными атомами германия в кремнии, в изотопно-чистых монокристаллах Si[1-x]Ge[x] при x = 0.39, 1.2, 2.9 ат% наблюдались более узкие линии спектров электронного спинового резонанса по сравнению с аналогичными кристаллами с природной композицией изотопов кремния и германия. |
| Ключевые слова | мелкие доноры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 933-937 |
|
| Имя макрообъекта | Ежевский_поведение |
