Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Степихова, М. В.

Статьи. Автор - Степихова, М. В.

• Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
  Смагина, Ж. В., Зиновьев, В. А., Кривякин, Г. К., Родякина, Е. Е., Кучинская, П. А., Фомин, Б. И., Яблонский, А. Н. , Степихова, М. В., Новиков, А. В., Двуреченский, А. В.
  
  Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1028-1033 Смагина_исследование
• Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования
  Гапоненко, Н. В., Судник, Л. В., Витязь, П. А., Лученок, А. Р., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Лашковская, Е. И., Радюш, Ю. В., Живулько, В. Д., Мудрый, А. В.
  
  Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования, Н. В. Гапоненко, Л. В. Судник, П. А. Витязь [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2022 .- Т. 89, № 2. - С. 184-190 .-
• Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования
  Гапоненко, Н. В., Судник, Л. В., Витязь, П. А., Лученок, А. Р., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Лашковская, Е. И., Радюш, Ю. В., Живулько, В. Д., Мудрый, А. В.
  
  Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования, Н. В. Гапоненко, Л. В. Судник, П. А. Витязь [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2022 .- Т. 89, № 2. - С. 184-190 .-
• Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
  Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В., Степихова, М. В., Сергеев, С. М., Байдакова, Н. А., Шалеев, М. В., Красильник, З. Ф.
  
  цв. ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1150-1157 .- Яблонский_кинетика
• Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
  Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
  
  Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .- Деточенко_эпитаксиально
• Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик
  Кирсанов, Н. Ю., Латухина, Н. В., Лизункова, Д. А., Рогожина, Г. А., Степихова, М. В.
  
  Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 367-371 Кирсанов_многослойные
• Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
  Серафимович, П. Г., Степихова, М. В., Казанский, Н. Л., Гусев, С. А., Егоров, А. В., Скороходов, Е. В., Красильник, З. Ф.
  
  Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1133-1137 Серафимович_фетонно
• Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
  Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Матвеев, С. А., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Филатов, Д. О., Степихова, М. В., Красильник, З. Ф.
  
  Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 .- Шенгуров_условия
• Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
  Смагина, Ж. В., Новиков, А. В., Степихова, М. В., Зиновьев, В. А., Родякина, Е. Е., Сергеев, С. М., Перетокин, А. В., Шалеев, М. В., Гусев, С. А., Двуреченский, А. В.
  
  Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 8. - С. 708-715 .- Смагина_люминесценция
• Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
  Юрасов, Д. В., Новиков, А. В., Дьяков, С. А., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Сергеев, С. М., Уткин, Д. Е., Красильник, З. Ф.
  
  Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 822-829 Юрасов_рост