| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изложена технология изготовления фотонно-кристаллического резонатора, выполненного в виде группы отверстий на кремниевом полосковом волноводе, сформированных методом ионно-лучевого травления. Исследован паразитный эффект, связанный с конусностью отверстий, возникающий при их формировании по данной технологии. Путем численного моделирования показано, что уменьшение добротности резонатора вследствие конусности отверстий можно компенсировать с учетом их объема. Выполнен анализ влияния толщины волновода на значения резонансной длины волны и добротность фотонно-кристаллического резонатора. |
| Ключевые слова | фотонно-кристаллический резонатор |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1133-1137 |
|
| Имя макрообъекта | Серафимович_фетонно |
