| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671894951 |
| Дата корректировки | 13:39:57 16 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Серафимович, П. Г. | |
|
Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования Электронный ресурс |
|
| Photonic crystal resonator for the near-IR range on silicon: numerical modeling and formation technology | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Изложена технология изготовления фотонно-кристаллического резонатора, выполненного в виде группы отверстий на кремниевом полосковом волноводе, сформированных методом ионно-лучевого травления. Исследован паразитный эффект, связанный с конусностью отверстий, возникающий при их формировании по данной технологии. Путем численного моделирования показано, что уменьшение добротности резонатора вследствие конусности отверстий можно компенсировать с учетом их объема. Выполнен анализ влияния толщины волновода на значения резонансной длины волны и добротность фотонно-кристаллического резонатора. |
| Ключевые слова | фотонно-кристаллический резонатор |
|
ионно-лучевое травление кремний полупроводники III-V групп нитрид галлия фосфид индия арсенид галлия оптический резонатор кремниевые гребенчатые волноводы фотонные кристаллы |
|
|
Степихова, М. В. Казанский, Н. Л. Гусев, С. А. Егоров, А. В. Скороходов, Е. В. Красильник, З. Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 8. - С. 1133-1137 |
|
| Имя макрообъекта | Серафимович_фетонно |
| Тип документа | b |
