Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Скороходов, Е. В.

Статьи. Автор - Скороходов, Е. В.

• Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
  Дроздов, Ю. Н., Краёв, С. А., Краев, С. А., Охапкин, А. И., Данильцев, В. М., Скороходов, Е. В.
  
  Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 958-961 Дроздов_особенности
• Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
  Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Бушуйкин, П. А., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В.
  
  Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 264-268 .- Лобанов_особенности
• Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
  Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
  
  Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 Новиков_формирование
• Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl
  Охапкин, А. И., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Скороходов, Е. В., Шашкин, В. И.
  
  Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1362-1365 Охапкин_плазмохимическое
• Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
  Байдакова, Н. А., Вербус, В. А., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Hombe, A., Kurokawa, Y., Usami, N.
  
  Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1599-1604 Байдакова_селективное
• Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
  Бушуйкин, П. А., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Лобанов, Д. Н., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В. , Демидов, Е. В., Савченко, Г. М., Давыдов, В. Ю.
  
  Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598 Бушуйкин_особенности
• Ферромагнитный резонанс во взаимодействующих магнитных микрополосках
  Горев, Р. В., Скороходов, Е. В., Миронов, В. Л.
  
  Ферромагнитный резонанс во взаимодействующих магнитных микрополосках, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 11. - С. 2135-2139 .- Горев_ферромагнитный
• Управляемый магнитными полями четырех наночастиц пиннинг доменной стенки в ферромагнитной нанопроволоке
  Ермолаева, О. Л., Скороходов, Е. В., Миронов, В. Л.
  
  Управляемый магнитными полями четырех наночастиц пиннинг доменной стенки в ферромагнитной нанопроволоке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 11. - С. 2145-2148 .- Ермолаева_управляемый
• Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
  Серафимович, П. Г., Степихова, М. В., Казанский, Н. Л., Гусев, С. А., Егоров, А. В., Скороходов, Е. В., Красильник, З. Ф.
  
  Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1133-1137 Серафимович_фетонно
• Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски
  Мастеров, Д. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Скороходов, Е. В., Юнин, П. А.
  
  Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2100-2104 .- Мастеров_исследование
• Влияние ориентации магнитного момента зонда магнитно-резонансного силового микроскопа на спектры спин-волновых резонансов
  Скороходов, Е. В., Сапожников, М. В., Горев, Р. В., Володин, А. П., Миронов, В. Л.
  
  Влияние ориентации магнитного момента зонда магнитно-резонансного силового микроскопа на спектры спин-волновых резонансов, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып.11. - С. 2213-2218 .- Скороходов_влияние
• Моделирование вынужденных колебаний намагниченности в системе трех ферромагнитных нанодисков
  Горев, Р. В., Скороходов, Е. В., Миронов, В. Л.
  
  Моделирование вынужденных колебаний намагниченности в системе трех ферромагнитных нанодисков, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 9. - С. 1349-1353 .- Горев_моделирование
• О возможности изготовления мостиков YBCO с совершенной поверхностью, критической температурой более 88 K и плотностью критического тока до 5 · 10{6} A/cm{2}
  Мастеров, Д. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Скороходов, Е. В.
  
  О возможности изготовления мостиков YBCO с совершенной поверхностью, критической температурой более 88 K и плотностью критического тока до 5 · 10{6} A/cm{2}, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 9. - С. 1398-1402 .- Мастеров_о возможности
• МСМ исследование влияния механических напряжений на магнитное состояние частиц Ni
  Ермолаева, О. Л., Гусев, Н. С., Скороходов, Е. В., Рогов, В. В., Удалов, О. Г.
  
  МСМ исследование влияния механических напряжений на магнитное состояние частиц Ni, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 9. - С. 1623-1627 .- Ермолаева_МСМ исследование
• Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
  Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
  
  Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .- Лобанов_эпитаксиальные