| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты по формированию и исследованию локально-растянутых Ge-микроструктур (”микромостиков“) на основе слоев Ge, выращенных на кремниевых подложках. Выполнен теоретический анализ распределения деформации в свободновисящих Ge-микромостиках, который выявил, что для достижения максимального уровня деформации растяжения в самом микромостике необходима минимизация концентрации упругих напряжений во всех углах формируемой микроструктуры. Измерения локальной деформации методом комбинационного рассеяния света показали увеличение деформации растяжения с 0.2-0.25% в исходной Ge-пленке до 2.4% в Ge-микромостиках. Методом спектроскопии микрофотолюминесценции продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация спектра ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge-микромостиках и их окрестностях по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоев Ge. |
| Ключевые слова | Ge-микроструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 |
|
| Имя макрообъекта | Новиков_формирование |
