| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690373101 |
| Дата корректировки | 10:25:37 16 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46594.16 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Новиков, А. В. | |
|
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники Электронный ресурс |
|
| Formation and properties of locally strained Ge microstructures for silicon photonics | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты по формированию и исследованию локально-растянутых Ge-микроструктур (”микромостиков“) на основе слоев Ge, выращенных на кремниевых подложках. Выполнен теоретический анализ распределения деформации в свободновисящих Ge-микромостиках, который выявил, что для достижения максимального уровня деформации растяжения в самом микромостике необходима минимизация концентрации упругих напряжений во всех углах формируемой микроструктуры. Измерения локальной деформации методом комбинационного рассеяния света показали увеличение деформации растяжения с 0.2-0.25% в исходной Ge-пленке до 2.4% в Ge-микромостиках. Методом спектроскопии микрофотолюминесценции продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация спектра ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge-микромостиках и их окрестностях по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоев Ge. |
| Ключевые слова | Ge-микроструктуры |
|
Ge-микромостики германий германиевые микроструктуры кремниевые подложки подложки Si кремний-на-изоляторе |
|
|
Юрасов, Д. В. Морозова, Е. Е. Скороходов, Е. В. Вербус, В. А. Яблонский, А. Н. Байдакова, Н. А. Гусев, Н. С. Кудрявцев, К. Е. Нежданов, А. В. Машин, А. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 |
|
| Имя макрообъекта | Новиков_формирование |
| Тип документа | b |
