Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Кудрявцев, К. Е.

Статьи. Автор - Кудрявцев, К. Е.

• Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
  
  Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533 Алешкин_технология
• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
  
  Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .- Байдусь_применение
• Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов
  Маремьянин, К. В., Паршин, В. В., Серов, Е. А., Румянцев, В. В., Кудрявцев, К. Е., Дубинов, А. А., Морозов, С. С., Алешкин, В. Я., Денисов, Г. Г., Морозов, С. В.
  
  Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 878-883 Маремьянин_исследование
• Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках
  Кудрявцев, К. Е., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Юрасов, Д. В., Горлачук, П. В., Рябоштан, Ю. Л., Мармалюк, А. А., Новиков, А. В., Красильник, З. Ф.
  
  Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389 Кудрявцев_стимулированное
• Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
  Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
  
  Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 Новиков_формирование
• Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм
  Уточкин, В. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Гавриленко, В. И., Куликов, Н. С., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
  
  Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1163-1168 .- Кушков_исследование
• Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н.
  
  Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 .- Алешкин_стимулированное
• Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
  Румянцев, В. В., Фадеев, М. А., Морозов, С. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Кадыков, А. М., Дворецкий, С. А. , Михайлов, Н. Н. , Гавриленко, В. И., Teppe, F.
  
  Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1679-1684 Румянцев_длинноволновое