| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Приводятся результаты экспериментального исследования диэлектрических потерь в полупроводниковых кристаллах GaAs, InP : Fe и Si в миллиметровом диапазоне длин волн (80-260 ГГц) с использованием прецизионного оригинального метода измерений показателя преломления и тангенса угла диэлектрических потерь tg дельта на основе открытых высокодобротных резонаторов Фабри-Перо. Показано, что в сверхчистых полупроводниковых монокристаллических подложках GaAs потери в частотном диапазоне от 100 до 260 ГГц в основном определяются решеточным поглощением, в то время как в монокристаллическом кремнии основной механизм потерь - поглощение на свободных носителях заряда. В отличие от GaAs и Si, в компенсированных кристаллах InP : Fe tg деьта практически не зависит от частоты в диапазоне от 100 до 260 ГГц, что связывается с проводимостью материала по прыжковому механизму. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и оптимизации микроволновых полупроводниковых приборов, в частности устройств умножения частоты и управляемого вывода излучения непрерывных и импульсных гиротронов. |
| Ключевые слова | микроволновое поглощение |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 878-883 |
|
| Имя макрообъекта | Маремьянин_исследование |
