| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676459413 |
| Дата корректировки | 9:42:10 8 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49825.17 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Маремьянин, К. В. | |
|
Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов Электронный ресурс |
|
| Studies of microwave absorption in semiconductors for frequency multiplication devices and radiation output control of continuous and pulsed gyrotrons | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Приводятся результаты экспериментального исследования диэлектрических потерь в полупроводниковых кристаллах GaAs, InP : Fe и Si в миллиметровом диапазоне длин волн (80-260 ГГц) с использованием прецизионного оригинального метода измерений показателя преломления и тангенса угла диэлектрических потерь tg дельта на основе открытых высокодобротных резонаторов Фабри-Перо. Показано, что в сверхчистых полупроводниковых монокристаллических подложках GaAs потери в частотном диапазоне от 100 до 260 ГГц в основном определяются решеточным поглощением, в то время как в монокристаллическом кремнии основной механизм потерь - поглощение на свободных носителях заряда. В отличие от GaAs и Si, в компенсированных кристаллах InP : Fe tg деьта практически не зависит от частоты в диапазоне от 100 до 260 ГГц, что связывается с проводимостью материала по прыжковому механизму. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и оптимизации микроволновых полупроводниковых приборов, в частности устройств умножения частоты и управляемого вывода излучения непрерывных и импульсных гиротронов. |
| Ключевые слова | микроволновое поглощение |
|
гиротроны субтерагерцовый диапазон поглощение диэлектрические потери полупроводниковые кристаллы полупроводники |
|
|
Паршин, В. В. Серов, Е. А. Румянцев, В. В. Кудрявцев, К. Е. Дубинов, А. А. Фокин, А. П. Морозов, С. С. Алешкин, В. Я. Глявин, М. Ю. Денисов, Г. Г. Морозов, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 878-883 |
|
| Имя макрообъекта | Маремьянин_исследование |
| Тип документа | b |
