Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Дубинов, А. А.

Статьи. Автор - Дубинов, А. А.

• Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
  
  Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533 Алешкин_технология
• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
  
  Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .- Байдусь_применение
• Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
  Самарцев, И. В., Алёшкин, В. Я., Дикарёва, Н. В., Чигинёва, А. Б. , Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н. , Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Пашенькин, И. Ю. , Дикарева, Н. В.
  
  Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1460-1463 .- Самарцев_фотоприемники
• Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
  Дикарева, Н. В., Дикарёва, Н. В., Алёшкин, В. Я., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А.
  
  Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1410-1413 Дикарева_двухчастотный
• Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов
  Маремьянин, К. В., Паршин, В. В., Серов, Е. А., Румянцев, В. В., Кудрявцев, К. Е., Дубинов, А. А., Морозов, С. С., Алешкин, В. Я., Денисов, Г. Г., Морозов, С. В.
  
  Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 878-883 Маремьянин_исследование
• Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
  Алёшкин, В. Я., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Морозов, С. В., Семягин, Б. Р. , Путято, М. А., Преображенский, В. В., Гавриленко, В. И.
  
  Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 9. - С. 929-932 .- Уточкин_спектры
• Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах
  Афоненко, Ан. А., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В., Дубинов, А. А.
  
  Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 780-784 Афоненко_анализ
• Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках
  Кудрявцев, К. Е., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Юрасов, Д. В., Горлачук, П. В., Рябоштан, Ю. Л., Мармалюк, А. А., Новиков, А. В., Красильник, З. Ф.
  
  Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389 Кудрявцев_стимулированное
• Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
  Румянцев, В. В., Кадыков, А. М., Фадеев, М. А., Дубинов, А. А., Уточкин, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
  
  Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 12. - С. 1616-1620 .- Румянцев_исследования
• Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм
  Уточкин, В. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Гавриленко, В. И., Куликов, Н. С., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
  
  Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1163-1168 .- Кушков_исследование
• Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
  Уточкин, В. В., Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Гавриленко, В. И., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
  
  Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1169-1173 .- Уточкин_непрерывное
• Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 .- Алешкин_стимулированное
• Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н.
  
  Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 .- Алешкин_стимулированное
• Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe
  Дубинов, А. А., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Морозов, С. В.
  
  Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1100-1103 Дубинов_снижение
• Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Некоркин, С. М., Колпаков, Д. А. , Ершов, А. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Афоненко, А. А.
  
  Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1509-1512 Байдусь_метод
• Лазер на основе германия c гибридной поверхностной плазменной модой
  Дубинов, А. А.
  
  Лазер на основе германия c гибридной поверхностной плазменной модой, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1469-1472 Дубинов_лазер
• Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
  Румянцев, В. В., Фадеев, М. А., Морозов, С. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Кадыков, А. М., Дворецкий, С. А. , Михайлов, Н. Н. , Гавриленко, В. И., Teppe, F.
  
  Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1679-1684 Румянцев_длинноволновое