Поиск

Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

Авторы: Алешкин, В. Я. Алёшкин, В. Я. Байдусь, Н. В. Дубинов, А. А. Кудрявцев, К. Е. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Рыков, А. В. Фефелов, А. Г. Юрасов, Д. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Электронный ресурс
Ключевые слова лазерные диоды
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533
Имя макрообъекта Алешкин_технология