| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686671389 |
| Дата корректировки | 14:29:14 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45105.19 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алешкин, В. Я. | |
|
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке Электронный ресурс |
|
| The manufacturing technology of laser diodes from GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Созданы InGaAs/GaAs/AlGaAs лазерные диоды с квантовыми ямами, выращенными методом МОГФЭ на неотклоненной Si (001)-подложке с буферным слоем Ge. Диоды генерируют стимулированное излучение в импульсном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.09-1.11 мкм. |
| Алёшкин, В. Я. | |
| Ключевые слова | лазерные диоды |
|
квантовые ямы прямозонные полупроводники полупроводники гибридные лазерные диоды кремниевые подложки молекулярно-пучковая эпитаксия подложки Ge/Si германий кремний |
|
|
Байдусь, Н. В. Дубинов, А. А. Кудрявцев, К. Е. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Рыков, А. В. Самарцев, И. В. Фефелов, А. Г. Юрасов, Д. В. Красильник, Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533 |
|
| Имя макрообъекта | Алешкин_технология |
| Тип документа | b |
