Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Юрасов, Д. В.

Статьи. Автор - Юрасов, Д. В.

• Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
  
  Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533 Алешкин_технология
• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
  
  Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .- Байдусь_применение
• Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
  Юрасов, Д. В., Байдакова, Н. А., Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В.
  
  Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 685-690 Юрасов_влияние
• Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках
  Кудрявцев, К. Е., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Юрасов, Д. В., Горлачук, П. В., Рябоштан, Ю. Л., Мармалюк, А. А., Новиков, А. В., Красильник, З. Ф.
  
  Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389 Кудрявцев_стимулированное
• Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
  Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
  
  Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 Новиков_формирование
• Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
  Байдакова, Н. А., Вербус, В. А., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Hombe, A., Kurokawa, Y., Usami, N.
  
  Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1599-1604 Байдакова_селективное
• Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
  Юрасов, Д. В., Дроздов, М. Н., Шмагин, В. Б., Новиков, А. В.
  
  Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1611-1615 Юрасов_исследование
• Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 .- Алешкин_стимулированное
• Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
  Байдакова, Н. А., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Шенгуров, Д. В., Красильник, З.Ф.
  
  Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1685-1689 .- Байдакова_электролюминесценция
• Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
  Яблонский, А. Н. , Жукавин, Р. Х., Бекин, Н. А., Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Шалеев, М. В.
  
  Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1629-1633 .- Яблонский_излучательная
• Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
  Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Юнин, П. А.
  
  Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1657-1661 .- Новиков_влияние
• Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
  Юрасов, Д. В., Новиков, А. В., Дьяков, С. А., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Сергеев, С. М., Уткин, Д. Е., Красильник, З. Ф.
  
  Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 822-829 Юрасов_рост