Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

Авторы: Алешкин, В. Я. Алёшкин, В. Я. Байдусь, Н. В. Дубинов, А. А. Красильник, З. Ф. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Рыков, А. В. Юрасов, Д. В. Яблонский, А. Н.

Индекс УДК	621.315.592
	Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) Электронный ресурс
Аннотация	Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4° к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37кВт/см{2} соответственно.
Ключевые слова	лазерные структуры
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2017
Прочая информация	Т. 51, вып. 5. - С. 695-698
Имя макрообъекта	Алешкин_стимулированное

Каталог библиотеки БГТУ

Авторы: Алешкин, В. Я. Алёшкин, В. Я. Байдусь, Н. В. Дубинов, А. А. Красильник, З. Ф. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Рыков, А. В. Юрасов, Д. В. Яблонский, А. Н.