| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679672673 |
| Дата корректировки | 14:06:05 15 июля 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2017.05.44431.8449 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алешкин, В. Я. | |
|
Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) Электронный ресурс |
|
| Другая форма заглавия | Stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures, grown by MOCVD on exact and offcut Ge/Si(001) substrates |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4° к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37кВт/см{2} соответственно. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | лазерные структуры |
|
стимулированное излучение газофазная эпитаксия металлоорганические соединения квантовые ямы подложки полупроводники |
|
|
Байдусь, Н. В. Дубинов, А. А. Красильник, З. Ф. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Рыков, А. В. Юрасов, Д. В. Яблонский, А. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 |
| Имя макрообъекта | Алешкин_стимулированное |
| Тип документа | b |
