Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Яблонский, А. Н.

Статьи. Автор - Яблонский, А. Н.

• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
  Смагина, Ж. В., Зиновьев, В. А., Кривякин, Г. К., Родякина, Е. Е., Кучинская, П. А., Фомин, Б. И., Яблонский, А. Н. , Степихова, М. В., Новиков, А. В., Двуреченский, А. В.
  
  Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1028-1033 Смагина_исследование
• Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования
  Гапоненко, Н. В., Судник, Л. В., Витязь, П. А., Лученок, А. Р., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Лашковская, Е. И., Радюш, Ю. В., Живулько, В. Д., Мудрый, А. В.
  
  Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования, Н. В. Гапоненко, Л. В. Судник, П. А. Витязь [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2022 .- Т. 89, № 2. - С. 184-190 .-
• Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования
  Гапоненко, Н. В., Судник, Л. В., Витязь, П. А., Лученок, А. Р., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Лашковская, Е. И., Радюш, Ю. В., Живулько, В. Д., Мудрый, А. В.
  
  Ап-конверсионная люминесценция ионов Er{3+} в порошке ксерогеля титаната бария и мишени, сформированной методом взрывного прессования, Н. В. Гапоненко, Л. В. Судник, П. А. Витязь [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2022 .- Т. 89, № 2. - С. 184-190 .-
• Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
  Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В., Степихова, М. В., Сергеев, С. М., Байдакова, Н. А., Шалеев, М. В., Красильник, З. Ф.
  
  цв. ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1150-1157 .- Яблонский_кинетика
• Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
  Юрасов, Д. В., Байдакова, Н. А., Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В.
  
  Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 685-690 Юрасов_влияние
• Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
  Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
  
  Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 Новиков_формирование
• Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 .- Алешкин_стимулированное
• Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InASP/InP и КТ CdSe/ZnS-TOPO
  Хребтов, А. И., Кулагина, А. С., Сибирёв, Н. В., Яблонский, А. Н. , Рубан, А. С, Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Данилов, В. В.
  
  Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InASP/InP и КТ CdSe/ZnS-TOPO, А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирёв [и др.] 1 файл (1, 02 Мб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 10. - С. 1403-1411 .-
• Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
  Яблонский, А. Н. , Алёшкин, В. Я., Морозов, С. В., Гапонова, Д. М., Алешкин, В. Я., Шенгуров, В. Г., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Байдусь, Н. В., Красильник, З. Ф.
  
  Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458 Яблонский_стимулированное
• Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
  Яблонский, А. Н. , Жукавин, Р. Х., Бекин, Н. А., Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Шалеев, М. В.
  
  Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1629-1633 .- Яблонский_излучательная
• Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов
  Юрасов, Д. В., Новиков, А. В., Дьяков, С. А., Степихова, М. В., Яблонский, А. Н. , Сергеев, С. М., Уткин, Д. Е., Красильник, З. Ф.
  
  Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 822-829 Юрасов_рост
• Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
  Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
  
  цв. ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .- Сресели_квантовые