Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
Поиск

Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si

Авторы: Алёшкин, В. Я. Алешкин, В. Я. Дубинов, А. А. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Павлов, Д. А. Шалеев, М. В. Юнин, П. А. Юрасов, Д. В. Яблонский, А. Н.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
Электронный ресурс
Аннотация Исследован рост лазерных структур InGaAs/GaAs/AlAs методом МОС-гидридной эпитаксии при низком давлении на подложках Si(001) с эпитаксиальным метаморфным буферным слоем Ge разной толщины. Представлены результаты влияния на кристаллическое и оптическое качество формируемых A{III}B{V} структур температуры роста и встраивания на границе с Ge/Si(001) подложкой дополнительных слоев AlAs. Продемонстрировано, что встраивание AlAs/GaAs/AlAs решетки на начальных этапах роста A{III}B{V} гетероструктур на Ge буферных слоях, выращенных на неотклоненных Si(001) подложках, позволяет значительно снизить плотность прорастающих дефектов и, как следствие, формировать эффективно излучающие лазерные структуры. Показана возможность выращивания на Si(001) подложках напряженных квантовых ям InGaAs, демонстрирующих стимулированное излучение в области длин волн больше 1100 нм.
Ключевые слова лазерные структуры
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582
Имя макрообъекта Байдусь_особенности