| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686672389 |
| Дата корректировки | 14:30:18 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45115.32 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Байдусь, Н. В. | |
|
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si Электронный ресурс |
|
| Features of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structure growing by MOCVD on Ge/Si substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Исследован рост лазерных структур InGaAs/GaAs/AlAs методом МОС-гидридной эпитаксии при низком давлении на подложках Si(001) с эпитаксиальным метаморфным буферным слоем Ge разной толщины. Представлены результаты влияния на кристаллическое и оптическое качество формируемых A{III}B{V} структур температуры роста и встраивания на границе с Ge/Si(001) подложкой дополнительных слоев AlAs. Продемонстрировано, что встраивание AlAs/GaAs/AlAs решетки на начальных этапах роста A{III}B{V} гетероструктур на Ge буферных слоях, выращенных на неотклоненных Si(001) подложках, позволяет значительно снизить плотность прорастающих дефектов и, как следствие, формировать эффективно излучающие лазерные структуры. Показана возможность выращивания на Si(001) подложках напряженных квантовых ям InGaAs, демонстрирующих стимулированное излучение в области длин волн больше 1100 нм. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | лазерные структуры |
|
МОС-гидридная эпитаксия гетероструктуры молекулярно-пучковая эпитаксия гетеролазеры кремниевые подложки подложки Ge/Si германий кремний |
|
|
Алешкин, В. Я. Дубинов, А. А. Кудрявцев, К. Е. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Павлов, Д. А. Рыков, А. В. Сушков, А. А. Шалеев, М. В. Юнин, П. А. Юрасов, Д. В. Яблонский, А. Н. Красильник, З. Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 |
|
| Имя макрообъекта | Байдусь_особенности |
| Тип документа | b |
