Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Павлов, Д. А.

Статьи. Автор - Павлов, Д. А.

• Ацетоксилирование жирных кислот таллового масла в присутствии минеральных кислот
  Курзин, А. В., Попова, Л. М., Павлов, Д. А., Вершилов, С. В.
  
  Ацетоксилирование жирных кислот таллового масла в присутствии минеральных кислот, [Текст] табл Экологическая химия, 2015, Т. 24, № 2. - С. 63-67
• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
  Горшков, А. П., Левичёв, С. Б. , Волкова, Н. С., Воронин, П. Г., Здоровейщев, А. В. , Истомин, Л. А., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Левичев, С. Б.
  
  Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 11. - С. 1447-1450 .- Горшков_влияние
• Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
  Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Истомин, Л. А., Левичев, С. Б.
  
  Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511 Горшков_связь
• Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2]
  Грачев, Д. А., Ершов, А. В., Карабанова, И. А., Пирогов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Павлов, Д. А.
  
  Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2], [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 5. - С. 965-971 .- Грачев_влияние
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
  Сушков, А. А., Павлов, Д. А., Денисов, С. А., Чалков, В. Ю., Крюков, Р. Н., Питиримова, Е. А.
  
  Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133 Сушков_наращивание
• Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
  Кудрин, А. В. , Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Питиримова, Е. А., Антонов, И. Н.
  
  Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2200-2202 .- Кудрин_однофазные
• Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}
  Терещенко, А. Н. , Королёв, Д. С., Королев, Д. С., Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Никольская, А. А., Павлов, Д. А., Тетельбаум, Д. И. , Штейнман, Э. А.
  
  Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 702-707 Терещенко_влияние
• Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
  Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Павлов, Д. А., Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Крюков, Р. Н.
  
  Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1463-1468 .- Дорохин_формирование
• Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi[x]
  Ерофеева, И. В., Дорохин, М. В., Лесников, В. П., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Павлов, Д. А., Усов, Ю. В.
  
  Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi[x], [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1473-1478 .- Ерофеева_кристаллическая
• Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
  Зубков, С. Ю. , Антонов, И. Н., Горшков, О. Н., Касаткин, А. П., Крюков, Р. Н., Николичев, Д. Е., Павлов, Д. А., Шенина, М. Е.
  
  Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 3. - С. 591-595 .- Зубков_рентгеновская