| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличениюих размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 11. - С. 1447-1450 |
| Имя макрообъекта | Горшков_влияние |
