| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686676553 |
| Дата корректировки | 15:35:50 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45088.02 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Горшков, А. П. | |
|
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs Электронный ресурс |
|
| Influence of the cap layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличениюих размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. |
| Служебное примечание | Левичёв, С. Б. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
квантовые ямы фотоэлектрическая спектроскопия эффект Штарка экситоны газофазная эпитаксия |
|
|
Волкова, Н. С. Воронин, П. Г. Здоровейщев, А. В. Истомин, Л. А. Павлов, Д. А. Усов, Ю. В. Левичев, С. Б. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 11. - С. 1447-1450 |
| Имя макрообъекта | Горшков_влияние |
| Тип документа | b |
