Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Усов, Ю. В.

Статьи. Автор - Усов, Ю. В.

• Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
  Горшков, А. П., Левичёв, С. Б. , Волкова, Н. С., Воронин, П. Г., Здоровейщев, А. В. , Истомин, Л. А., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Левичев, С. Б.
  
  Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 11. - С. 1447-1450 .- Горшков_влияние
• Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
  Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Истомин, Л. А., Левичев, С. Б.
  
  Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511 Горшков_связь
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
  Кудрин, А. В. , Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Питиримова, Е. А., Антонов, И. Н.
  
  Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2200-2202 .- Кудрин_однофазные
• Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
  Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Павлов, Д. А., Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Крюков, Р. Н.
  
  Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1463-1468 .- Дорохин_формирование
• Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi[x]
  Ерофеева, И. В., Дорохин, М. В., Лесников, В. П., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Павлов, Д. А., Усов, Ю. В.
  
  Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi[x], [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1473-1478 .- Ерофеева_кристаллическая