| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы кристаллическая структура, состав, магнитные и электротранспортные свойств слоев Mn[x]Ga[y], осажденных на поверхностьGaAs методами импульсного лазерного осаждения в потоке водорода, импульсного лазерного осаждения в вакууме и электронно-лучевого испарения в высоком вакууме. Показано, что особенности каждого из методов оказывают влияние на состав и кристаллическую структуру формируемых слоев, на степень резкости и кристаллического совершенства гетерограницы. Состав и кристаллическая структура, предположительно, обусловливают модификацию ферромагнитных свойств. Дефекты гетерограницы оказывают влияние на свойства диодной структуры Mn[x]Ga[y]/GaAs, в частности на высоту потенциального барьера диода Шоттки. |
| Ключевые слова | оптоэлектроника |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1463-1468 |
| Имя макрообъекта | Дорохин_формирование |
