| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675179182 |
| Дата корректировки | 14:11:31 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Дорохин, М. В. | |
|
Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике Электронный ресурс |
|
| Fabrication of MnGa/GaAs for the optoelectronics and spintronics applications | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Исследованы кристаллическая структура, состав, магнитные и электротранспортные свойств слоев Mn[x]Ga[y], осажденных на поверхностьGaAs методами импульсного лазерного осаждения в потоке водорода, импульсного лазерного осаждения в вакууме и электронно-лучевого испарения в высоком вакууме. Показано, что особенности каждого из методов оказывают влияние на состав и кристаллическую структуру формируемых слоев, на степень резкости и кристаллического совершенства гетерограницы. Состав и кристаллическая структура, предположительно, обусловливают модификацию ферромагнитных свойств. Дефекты гетерограницы оказывают влияние на свойства диодной структуры Mn[x]Ga[y]/GaAs, в частности на высоту потенциального барьера диода Шоттки. |
| Дёмина, П. Б. | |
| Ключевые слова | оптоэлектроника |
|
спинтроника импульсное лазерное осаждение электронно-лучевое испарение диоды Шоттки галлид марганца арсенид галлия полупроводники |
|
|
Павлов, Д. А. Бобров, А. И. Данилов, Ю. А. Лесников, В. П. Звонков, Б. Н. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Демина, П. Б. Усов, Ю. В. Николичев, Д. Е. Крюков, Р. Н. Зубков, С. Ю. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1463-1468 |
| Имя макрообъекта | Дорохин_формирование |
| Тип документа | b |
