-
Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом
Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Крюков, Р. Н., Антонов, И. Н., Алафердов, А. В., Кунькова, З. Э., Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г.
Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 11. - С. 2137-2140 .-
Данилов_исследование
-
Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806
Звонков_формирование
-
Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
Данилов, Ю. А., Ведь, М. В., Вихрова, О. В., Дроздов, М. Н., Звонков, Б. Н. , Ковальский, В. А., Крюков, Р. Н., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Юнин, П. А.
Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 868-872
Данилов_углеродные
-
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
Сушков, А. А., Павлов, Д. А., Денисов, С. А., Чалков, В. Ю., Крюков, Р. Н., Питиримова, Е. А.
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133
Сушков_наращивание
-
Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Павлов, Д. А., Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Крюков, Р. Н.
Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1463-1468 .-
Дорохин_формирование
-
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
Зубков, С. Ю. , Антонов, И. Н., Горшков, О. Н., Касаткин, А. П., Крюков, Р. Н., Николичев, Д. Е., Павлов, Д. А., Шенина, М. Е.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 3. - С. 591-595 .-
Зубков_рентгеновская
