| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы свойства углеродных слоев, полученных на подложках GaAs методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Оптимальной температурой процесса нанесения является 500°C; при этом скорость роста углеродных слоев составляла 0.19 нм/с. Спектры комбинационного рассеяния света соответствовали спектру нанокристаллического графита. Углеродные слои имели p-тип проводимости, демонстрировали полупроводниковый характер температурной зависимости сопротивления и были использованы в качестве проводящего прозрачного покрытия GaAs-структур с квантовой ямой InGaAs. Структуры обнаруживают значительную электролюминесценцию даже при невысоких токах накачки и фоточувствительность в диапазоне 1.5-2.2 эВ вплоть до комнатной температуры измерений. |
| Ключевые слова | углеродные пленки |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 868-872 |
|
| Имя макрообъекта | Данилов_углеродные |
