| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676389712 |
| Дата корректировки | 14:07:55 7 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49823.15 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Данилов, Ю. А. | |
|
Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур Электронный ресурс |
|
| Carbon films obtained by a pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Исследованы свойства углеродных слоев, полученных на подложках GaAs методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Оптимальной температурой процесса нанесения является 500°C; при этом скорость роста углеродных слоев составляла 0.19 нм/с. Спектры комбинационного рассеяния света соответствовали спектру нанокристаллического графита. Углеродные слои имели p-тип проводимости, демонстрировали полупроводниковый характер температурной зависимости сопротивления и были использованы в качестве проводящего прозрачного покрытия GaAs-структур с квантовой ямой InGaAs. Структуры обнаруживают значительную электролюминесценцию даже при невысоких токах накачки и фоточувствительность в диапазоне 1.5-2.2 эВ вплоть до комнатной температуры измерений. |
| Служебное примечание | Дикарёва, Н. В. |
| Ключевые слова | углеродные пленки |
|
углеродные нанослои графен электролюминесценция импульсное лазерное распыление графеновые слои полупроводники арсенид галлия |
|
|
Ведь, М. В. Вихрова, О. В. Дикарева, Н. В. Дроздов, М. Н. Звонков, Б. Н. Ковальский, В. А. Крюков, Р. Н. Кудрин, А. В. Лесников, В. П. Юнин, П. А. Андреев, А. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 868-872 |
|
| Имя макрообъекта | Данилов_углеродные |
| Тип документа | b |
