Сайт библиотеки БГТУ Сайт БГТУ Электронная библиотека БГТУ
  1. Базы данных
  2. Статьи
  3. Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
Поиск

Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“

Авторы: Сушков, А. А. Павлов, Д. А. Денисов, С. А. Чалков, В. Ю. Крюков, Р. Н. Питиримова, Е. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
Электронный ресурс
Ключевые слова гетероэпитаксия
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133
Имя макрообъекта Сушков_наращивание