| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677353295 |
| Дата корректировки | 17:45:00 18 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.10.49956.36 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Сушков, А. А. | |
|
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“ Электронный ресурс |
|
| The growth of the Ge layer on Si/SiO[2]/Si (100) structures by hot wire chemical vapor-phase deposition | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Сформированы и исследованы слои Ge/Si на подложках Si/SiO[2]/Si (100) при разных температурах роста. Слой Si выращен методом молекулярно-пучковой эпитаксии, а слой Ge получен методом "горячей проволоки". Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и дифракции ускоренных электронов на отражение. Перспектива создания подобных структур сводится к наращиванию на них высокого качества светоизлучающих структур, совместимых с кремниевыми радиационно стойкими интегральными микросхемами. В работе показана возможность роста монокристаллического слоя Ge на Si/SiO[2]/Si (100) через буферный слой Si методом "горячей проволоки", а также продемонстрированы сложности, которые возникают в процессе роста Ge/Si слоев на Si/SiO[2]/Si (100). |
| Ключевые слова | гетероэпитаксия |
|
просвечивающая электронная микроскопия молекулярно-пучковая эпитаксия метод ”горячей проволоки“ гетероструктуры кремний-на-изоляторе кремний-на-сапфире полупроводники |
|
|
Павлов, Д. А. Денисов, С. А. Чалков, В. Ю. Крюков, Р. Н. Питиримова, Е. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133 |
|
| Имя макрообъекта | Сушков_наращивание |
| Тип документа | b |
