Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Сушков, А. А.

Статьи. Автор - Сушков, А. А.

• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
  Сушков, А. А., Павлов, Д. А., Денисов, С. А., Чалков, В. Ю., Крюков, Р. Н., Питиримова, Е. А.
  
  Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133 Сушков_наращивание