Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Алешкин, В. Я.

Статьи. Автор - Алешкин, В. Я.

• Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
  
  Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533 Алешкин_технология
• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Гавриленко, Л. В.
  
  ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 11. - С. 1498-1502 .- Алешкин_каскадный
• Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
  
  Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .- Байдусь_применение
• Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
  Самарцев, И. В., Алёшкин, В. Я., Дикарёва, Н. В., Чигинёва, А. Б. , Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н. , Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Пашенькин, И. Ю. , Дикарева, Н. В.
  
  Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1460-1463 .- Самарцев_фотоприемники
• Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
  Румянцев, В. В., Алёшкин, В. Я., Фадеев, М. А., Иконников, А. В., Казаков, А. С., Алешкин, В. Я., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
  
  Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1317-1320 Румянцев_влияние
• Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
  Дикарева, Н. В., Дикарёва, Н. В., Алёшкин, В. Я., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А.
  
  Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1410-1413 Дикарева_двухчастотный
• Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов
  Маремьянин, К. В., Паршин, В. В., Серов, Е. А., Румянцев, В. В., Кудрявцев, К. Е., Дубинов, А. А., Морозов, С. С., Алешкин, В. Я., Денисов, Г. Г., Морозов, С. В.
  
  Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 878-883 Маремьянин_исследование
• Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
  Алёшкин, В. Я., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Морозов, С. В., Семягин, Б. Р. , Путято, М. А., Преображенский, В. В., Гавриленко, В. И.
  
  Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 9. - С. 929-932 .- Уточкин_спектры
• Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках
  Кудрявцев, К. Е., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Юрасов, Д. В., Горлачук, П. В., Рябоштан, Ю. Л., Мармалюк, А. А., Новиков, А. В., Красильник, З. Ф.
  
  Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389 Кудрявцев_стимулированное
• Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
  Бовкун, Л. С., Алёшкин, В. Я., Иконников, А. В., Алешкин, В. Я., Криштопенко, С. С., Антонов, А. В., Спирин, К. Е., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Гавриленко, В. И.
  
  Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала, [Электронный ресурс] ил.,табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1621-1629 Бовкун_активационная
• Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
  Уточкин, В. В., Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Гавриленко, В. И., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
  
  Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1169-1173 .- Уточкин_непрерывное
• Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 .- Алешкин_стимулированное
• Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н.
  
  Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 .- Алешкин_стимулированное
• Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe
  Дубинов, А. А., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Морозов, С. В.
  
  Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1100-1103 Дубинов_снижение
• Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Гавриленко, Л. В., Гапонова, Д. М., Красильник, З. Ф. , Крыжков, Д. И.
  
  Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1720-1724 .- Алешкин_процессы
• Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
  Бовкун, Л. С., Маремьянин, К. В., Иконников, А. В., Спирин, К. Е., Алешкин, В. Я., Potemski, M., Orlita, M., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Гавриленко, В. И.
  
  Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1274-1279 Бовкун_магнитооптика
• Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Некоркин, С. М., Колпаков, Д. А. , Ершов, А. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Афоненко, А. А.
  
  Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1509-1512 Байдусь_метод
• Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
  Бовкун, Л. С., Алёшкин, В. Я., Криштопенко, С. С., Иконников, А. В., Алешкин, В. Я., Кадыков, А. М., Teppe, F., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Гавриленко, В. И.
  
  Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1554-1560 .- Бовкун_магнитоспектроскопия
• Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
  Яблонский, А. Н. , Алёшкин, В. Я., Морозов, С. В., Гапонова, Д. М., Алешкин, В. Я., Шенгуров, В. Г., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Байдусь, Н. В., Красильник, З. Ф.
  
  Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458 Яблонский_стимулированное