| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В гетероструктурах AlGaAs/GaAs методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции исследовались процессы, связанные с переносом экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами и изменением встроенного электрического поля. Наблюдалось изменение интенсивности сигнала низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2K) из более широкой квантовой ямы при совпадении кванта энергии лазера накачки с энергией экситонного перехода в узкой яме. Изменение положения максимума и интенсивности фотолюминисценции из более широкой квантовой ямы при возбуждении вблизи экситонных резонансов в узкой квантовой яме объясняется влиянием квантово-размерного эффекта Штарка на процесс экситонной рекомбинации. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1720-1724 |
| Имя макрообъекта | Алешкин_процессы |
