| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675337966 |
| Дата корректировки | 10:02:01 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алешкин, В. Я. | |
|
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами Электронный ресурс |
|
| Exiton excitation transfer processes and relaxation in low-dimentional semiconductor heterostructures with quantum wells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | В гетероструктурах AlGaAs/GaAs методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции исследовались процессы, связанные с переносом экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами и изменением встроенного электрического поля. Наблюдалось изменение интенсивности сигнала низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2K) из более широкой квантовой ямы при совпадении кванта энергии лазера накачки с энергией экситонного перехода в узкой яме. Изменение положения максимума и интенсивности фотолюминисценции из более широкой квантовой ямы при возбуждении вблизи экситонных резонансов в узкой квантовой яме объясняется влиянием квантово-размерного эффекта Штарка на процесс экситонной рекомбинации. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры квантовые ямы спектроскопия возбуждения фотолюминесценции фотолюминесценция экситонные резонансы эффект Штарка полупроводники |
|
|
Гавриленко, Л. В. Гапонова, Д. М. Красильник, З. Ф. Крыжков, Д. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1720-1724 |
| Имя макрообъекта | Алешкин_процессы |
| Тип документа | b |
