-
Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe(013) с двойными квантовыми ямами
Спирин, К. Е., Гапонова, Д. М., Маремьянин, К. В., Румянцев, В. В., Гавриленко, В. И., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А.
Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe(013) с двойными квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1482-1485
Спирин_биполярная
-
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Гавриленко, Л. В., Гапонова, Д. М., Красильник, З. Ф. , Крыжков, Д. И.
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1720-1724 .-
Алешкин_процессы
-
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Яблонский, А. Н. , Алёшкин, В. Я., Морозов, С. В., Гапонова, Д. М., Алешкин, В. Я., Шенгуров, В. Г., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Байдусь, Н. В., Красильник, З. Ф.
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458
Яблонский_стимулированное
