| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Создан полупроводниковый лазер с оригинальным волноводом, позволяющим добиться существенного обужения диаграммы направленности (до 4° в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу). В использованном волноводе, благодаря подбору толщины ограничительных слоев Al[0.3]Ga[0.7]As, обеспечивается минимальное превышение эффективного показателя преломления возбуждаемой моды n[eff] над показателем преломления подложки n[s] (n[eff] - n[s] << 1), что cущественно увеличивает размер волноводной моды и приводит к обужению диаграммы направленности. |
| Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1509-1512 |
|
| Имя макрообъекта | Байдусь_метод |
