| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675164842 |
| Дата корректировки | 10:04:59 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Байдусь, Н. В. | |
|
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера Электронный ресурс |
|
| Decreasing width of directivity diagram for multiwell InGaAs/GaAs/AlGaAs heterolaser | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Создан полупроводниковый лазер с оригинальным волноводом, позволяющим добиться существенного обужения диаграммы направленности (до 4° в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу). В использованном волноводе, благодаря подбору толщины ограничительных слоев Al[0.3]Ga[0.7]As, обеспечивается минимальное превышение эффективного показателя преломления возбуждаемой моды n[eff] над показателем преломления подложки n[s] (n[eff] - n[s] << 1), что cущественно увеличивает размер волноводной моды и приводит к обужению диаграммы направленности. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
|
многоямные гетеролазеры гетеролазеры лазерные диоды волноводы МОС-гидридная эпитаксия арсенид индия-галлия арсенид галлия арсенид алюминия-галлия |
|
|
Некоркин, С. М. Колпаков, Д. А. Ершов, А. В. Алешкин, В. Я. Дубинов, А. А. Афоненко, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1509-1512 |
|
| Имя макрообъекта | Байдусь_метод |
| Тип документа | b |
