| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Алешкин, В. Я. |
| Заглавие | Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 10{13} см{-3}, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. |
| Ключевые слова | каскадный захват электронов |
| Другие авторы | Гавриленко, Л. В. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 11. - С. 1498-1502 |
| Имя макрообъекта | Алешкин_каскадный |
