| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686670339 |
| Дата корректировки | 13:55:51 4 октября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.11.45098.12 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Алешкин, В. Я. |
| Заглавие | Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Cascade capture of electrons by charged dipoles in weakly compensated semiconductors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 10{13} см{-3}, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | каскадный захват электронов |
|
заряженные диполи импульсное возбуждение фотоэлектронов фотоэлектроны слабо компенсированные полупроводники полупроводники |
|
| Другие авторы | Гавриленко, Л. В. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 11. - С. 1498-1502 |
| Имя макрообъекта | Алешкин_каскадный |
| Тип документа | b |
