-
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582
Байдусь_особенности
-
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .-
Байдусь_применение
-
Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В., Степихова, М. В., Сергеев, С. М., Байдакова, Н. А., Шалеев, М. В., Красильник, З. Ф.
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1150-1157 .-
Яблонский_кинетика
-
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
Байдакова, Н. А., Вербус, В. А., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Hombe, A., Kurokawa, Y., Usami, N.
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1599-1604
Байдакова_селективное
-
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
Байдакова, Н. А., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Шенгуров, Д. В., Красильник, З.Ф.
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1685-1689 .-
Байдакова_электролюминесценция
-
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .-
Лобанов_эпитаксиальные
-
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
Шмагин, В. Б., Вдовичев, С. Н., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Шенгуров, Д. В., Красильник, З.Ф.
Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1497-1500
Шмагин_электролюминесценция
-
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
Яблонский, А. Н. , Жукавин, Р. Х., Бекин, Н. А., Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Шалеев, М. В.
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1629-1633 .-
Яблонский_излучательная
-
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Юнин, П. А.
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1657-1661 .-
Новиков_влияние
-
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
Смагина, Ж. В., Новиков, А. В., Степихова, М. В., Зиновьев, В. А., Родякина, Е. Е., Сергеев, С. М., Перетокин, А. В., Шалеев, М. В., Гусев, С. А., Двуреченский, А. В.
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 8. - С. 708-715 .-
Смагина_люминесценция
