| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La[3]Ga[5]SiO[14] (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет ~ 520°C. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении (~ 700°C). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций ~ 10{11} см{-2} и низкой (< 2нм) шероховатостью поверхности. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные слои |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 |
| Имя макрообъекта | Лобанов_эпитаксиальные |
