| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675248383 |
| Дата корректировки | 9:12:25 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лобанов, Д. Н. | |
|
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота Электронный ресурс |
|
| Epitaxial GaN layers on the langasite substrates obtained by plasma-assisted MBE method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La[3]Ga[5]SiO[14] (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет ~ 520°C. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении (~ 700°C). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций ~ 10{11} см{-2} и низкой (< 2нм) шероховатостью поверхности. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные слои |
|
лангасит плазменная активация азота нитрид галлия полупроводники |
|
|
Новиков, А. В. Юнин, П. А. Скороходов, Е. В. Шалеев, М. В. Дроздов, М. Н. Хрыкин, О. И. Бузанов, О. А. Аленков, В. В. Фоломин, П. И. Гриценко, А. Б. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 |
| Имя макрообъекта | Лобанов_эпитаксиальные |
| Тип документа | b |
