Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .-
Лобанов_эпитаксиальные
