| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследовано влияние микрошероховатости поверхности роста на критическую толщину двумерного роста напряженных SiGe-структур, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Для решеток Ge/Si, выращенных на подложках Si(001), обнаружено уменьшение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении числа периодов решетки или уменьшении толщины разделительных слоев Si, которое связывается с увеличением шероховатости поверхности роста по мере накопления в сжатых структурах упругой энергии. Сравнительные исследования роста SiGe-структур на подложках Si(001) и Ge(001) показали, что в широком диапазоне составов слоев SiGe при одинаковом по абсолютной величине рассогласовании кристаллических решеток пленки и подложки критическая толщина двумерного роста растянутых слоев значительно больше, чем сжатых. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1657-1661 |
| Имя макрообъекта | Новиков_влияние |
