| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675355506 |
| Дата корректировки | 14:55:38 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Новиков, А. В. | |
|
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах Электронный ресурс |
|
| Influence of surface roughness on the growth mode change of strained SiGe heterostructures from two-dimensional to three-dimensional | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние микрошероховатости поверхности роста на критическую толщину двумерного роста напряженных SiGe-структур, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Для решеток Ge/Si, выращенных на подложках Si(001), обнаружено уменьшение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении числа периодов решетки или уменьшении толщины разделительных слоев Si, которое связывается с увеличением шероховатости поверхности роста по мере накопления в сжатых структурах упругой энергии. Сравнительные исследования роста SiGe-структур на подложках Si(001) и Ge(001) показали, что в широком диапазоне составов слоев SiGe при одинаковом по абсолютной величине рассогласовании кристаллических решеток пленки и подложки критическая толщина двумерного роста растянутых слоев значительно больше, чем сжатых. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
подложки релаксация упругих напряжений микрошероховатость поверхности роста шероховатость поверхности роста |
|
|
Шалеев, М. В. Юрасов, Д. В. Юнин, П. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1657-1661 |
| Имя макрообъекта | Новиков_влияние |
| Тип документа | b |
